Инвентаризация:7475

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-220-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20.7A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 190mOhm @ 13.1A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 208W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO220-3-1
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 114 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2400 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3

Инвентаризация: 3917

40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT

Инвентаризация: 158

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3

Инвентаризация: 4074

MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

Инвентаризация: 6206

MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB

Инвентаризация: 1340

MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC

Инвентаризация: 0

HIGH POWER_LEGACY

Инвентаризация: 3452

Top