- Модель продукта TT8M1TR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8TSST
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:10827
Технические детали
- Пакет/кейс 8-SMD, Flat Leads
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация N and P-Channel
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 1W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.5A
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 260pF @ 10V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 72mOhm @ 2.5A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 1.5V Drive
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика 8-TSST