Технические детали

• Пакет/кейс 8-SMD, Flat Lead
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 3.1W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 632pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6A, 4.5V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.3nC @ 5V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 800mV @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 1206-8 ChipFET™