Технические детали

• Пакет/кейс DirectFET™ Isometric ME
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 217A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 132A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 96W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 150µA
• Пакет устройств поставщика DirectFET™ Isometric ME
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 185 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6680 pF @ 25 V