Технические детали

• Пакет/кейс 4-UFBGA, DSBGA
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.2A (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 53mOhm @ 500mA, 4.5V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 4-DSBGA (1x1)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
• ВГС (Макс) -6V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.8 nC @ 4.5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 512 pF @ 6 V