Инвентаризация:42898

Технические детали

  • Пакет/кейс 4-UFBGA, DSBGA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.6A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 1A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.2W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 4-DSBGA (1x1)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.9 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 462 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

Инвентаризация: 16295

MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA

Инвентаризация: 15589

Top