Инвентаризация:3950

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta), 57A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 25W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика 8-HSOP
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16.8 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1080 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 2400

MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN

Инвентаризация: 6354

MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Инвентаризация: 11171

MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP

Инвентаризация: 603

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3494

MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8

Инвентаризация: 9782

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3411

Top