- Модель продукта RS1E200GNTB
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3950
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta), 57A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 25W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика 8-HSOP
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16.8 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1080 pF @ 15 V