Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10mOhm @ 9.8A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2.6W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±25V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 91 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4234 pF @ 20 V