Инвентаризация:14465

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.9A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 820mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика U-DFN2020-6 (Type F)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 864 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

Инвентаризация: 411126

MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Инвентаризация: 453157

MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3

Инвентаризация: 71853

MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3

Инвентаризация: 23685

IC MULTIVIBRATOR 18.5NS 8VSSOP

Инвентаризация: 39993

Top