Технические детали

• Пакет/кейс 3-XDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.4A (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.4A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика DFN1010D-3
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 309 pF @ 15 V