Технические детали

• Пакет/кейс 3-UFDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200mA (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 4V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 425mW (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика X1-DFN1006-3
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4V
• ВГС (Макс) ±8V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 50 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.58 nC @ 4 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 50.54 pF @ 25 V