Инвентаризация:713711

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-XFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип транзистора NPN
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
  • Ток-отсечка коллектора (макс.) 10nA (ICBO)
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
  • Частота – переход 300MHz
  • Пакет устройств поставщика X2-DFN1006-3
  • Оценка Automotive
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 600 mA
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 V
  • Мощность - Макс. 460 mW
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

Инвентаризация: 49610

BJT SOT23 40V NPN 0.35W 150C

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

Инвентаризация: 15332

TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3

Инвентаризация: 0

TRANS NPN 40V SOT23

Инвентаризация: 21000

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Инвентаризация: 55

200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN

Инвентаризация: 223595

TRANSISTOR, SMALL SIGNAL, NPN, 4

Инвентаризация: 29620

SOT-23, 60V, 0.2A, NPN BIPOLAR T

Инвентаризация: 0

Top