Инвентаризация:66750

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 15A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 135 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4370 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33

Инвентаризация: 0

SOT-23, MOSFET

Инвентаризация: 110496

MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12

Инвентаризация: 20515

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

Инвентаризация: 107467

Top