Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Конфигурация 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Технологии Silicon Carbide (SiC)
• Мощность - Макс. 337W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 87A (Tc)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2810pF @ 800V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 180nC @ 20V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 2.5mA
• Пакет устройств поставщика Module