Инвентаризация:5304

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 10.4W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 320pF @ 15V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11nC @ 10V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® ChipFet Dual

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F

Инвентаризация: 3446

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

Инвентаризация: 6771

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6

Инвентаризация: 11423

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET

Инвентаризация: 5001

IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP

Инвентаризация: 8304

Top