Технические детали

• Пакет/кейс TO-3P-3 Full Pack
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500mV @ 500mA, 5A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 10µA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 50 @ 3A, 4V
• Частота – переход 20MHz
• Пакет устройств поставщика TO-3P
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 10 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 140 V
• Мощность - Макс. 100 W