Технические детали

• Пакет/кейс TO-3P-3, SC-65-3
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 2V @ 500mA, 5A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100µA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 50 @ 5A, 4V
• Частота – переход 40MHz
• Пакет устройств поставщика TO-3P
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 15 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 180 V
• Мощность - Макс. 130 W