Инвентаризация:7053

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 69mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta), 189W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (8x8) HV
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 110 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4200 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Инвентаризация: 1985

MOSFET HIGH POWER_NEW

Инвентаризация: 5100

MOSFET N-CH 600V 41A 4VSON

Инвентаризация: 10973

MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON

Инвентаризация: 3684

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8

Инвентаризация: 3107

Top