Инвентаризация:11491

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 28A (Ta), 116A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2mOhm @ 28A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-PQFN (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 88 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5315 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN

Инвентаризация: 18390

MOSFET N CH 40V 22A POWER 56

Инвентаризация: 2409

MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN

Инвентаризация: 4125

MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN

Инвентаризация: 22010

Top