Инвентаризация:237883

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.5A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 72mOhm @ 4.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.8V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 6-DFN (2x2)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 415 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN

Инвентаризация: 99373

MOSFET N-CHANNEL 100V 8A 8DFN

Инвентаризация: 0

Top