Технические детали

• Пакет/кейс SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 850mW
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.8A, 2.5A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 422pF @ 15V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.4A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12.3nC @ 10V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика TSOT-26