Технические детали

• Пакет/кейс SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 840mW
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.4A, 2.8A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 400pF @ 15V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13nC @ 10V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 4.5V Drive
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика TSOT-26