Инвентаризация:54890

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-UFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 760mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 990mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 380mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика X1-DFN1006-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.93 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 27.6 pF @ 16 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

Инвентаризация: 117682

MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN

Инвентаризация: 49957

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-

Инвентаризация: 3000

DIODE ZENER 4.3V 250MW 2DFN

Инвентаризация: 27370

MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3

Инвентаризация: 76634

Top