Инвентаризация:25002

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 22A (Ta), 84A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-6
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1200 pF @ 12 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON

Инвентаризация: 18249

MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON

Инвентаризация: 18522

MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON

Инвентаризация: 25020

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

Инвентаризация: 169867

MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33

Инвентаризация: 11122

MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33

Инвентаризация: 49780

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212

Инвентаризация: 13605

Top