Инвентаризация:20022

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 38A (Ta), 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.05mOhm @ 30A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 59 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4200 pF @ 12 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON

Инвентаризация: 40503

MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON

Инвентаризация: 25020

Top