Инвентаризация:5656

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 52mOhm @ 7A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.2W (Ta), 21W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1258 pF @ 25 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 2969

MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN

Инвентаризация: 10105

MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN

Инвентаризация: 966

MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN

Инвентаризация: 4987

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3

Инвентаризация: 9657

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Инвентаризация: 7949

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 8474

Top