Инвентаризация:2466

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 52mOhm @ 7A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.2W (Ta), 21W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1258 pF @ 25 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


TRANS 2NPN 65V 0.1A SC-88

Инвентаризация: 24054

MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 32714

MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN

Инвентаризация: 4262

MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN

Инвентаризация: 851

MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN

Инвентаризация: 4156

MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN

Инвентаризация: 0

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 300

Top