Технические детали

• Пакет/кейс TO-3P-3, SC-65-3
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 700mV @ 700mA, 7A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 60 @ 1A, 5V
• Частота – переход 20MHz
• Пакет устройств поставщика TO-3P
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 12 A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 140 V
• Мощность - Макс. 100 W