- Модель продукта SI7956DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:7909
Технические детали
- Пакет/кейс PowerPAK® SO-8 Dual
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 1.4W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 150V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.6A
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 105mOhm @ 4.1A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26nC @ 10V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8 Dual
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Инвентаризация: 9608
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Инвентаризация: 28924
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Инвентаризация: 7949
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8
Инвентаризация: 2704
MOSFET 2N-CH 150V 7.7A PPAK SO8
Инвентаризация: 0
