- Модель продукта SI5513CDC-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 8-SMD, Flat Leads
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация N and P-Channel
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 3.1W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A, 3.7A
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 285pF @ 10V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.2nC @ 5V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 1206-8 ChipFET™
Сопутствующие товары
MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Инвентаризация: 8417
MOSFET N/P-CH 20V 6A/4A 6DFN
Инвентаризация: 5732
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Инвентаризация: 28388
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Инвентаризация: 13755
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Инвентаризация: 35673
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Инвентаризация: 5900
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Инвентаризация: 11775
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Инвентаризация: 13008
