Инвентаризация:9286

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta), 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-VSONP (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.3 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1250 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON

Инвентаризация: 3396

MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON

Инвентаризация: 22001

MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON

Инвентаризация: 3963

MOSFET N-CH 40V 89A 8VSON

Инвентаризация: 816

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8

Инвентаризация: 52651

MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8

Инвентаризация: 5990

Top