Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Ta), 100A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 20A, 8V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-VSONP (5x6)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 3V, 8V
• ВГС (Макс) +10V, -8V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.6 nC @ 4.5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1560 pF @ 15 V