Инвентаризация:81685

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-UFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип транзистора PNP
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
  • Ток-отсечка коллектора (макс.) 50nA (ICBO)
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
  • Частота – переход 300MHz
  • Пакет устройств поставщика X1-DFN1006-3
  • Оценка Automotive
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200 mA
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 V
  • Мощность - Макс. 250 mW
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 47181

TRANS NPN 40V 0.5A 3DFN

Инвентаризация: 158824

GANFET N-CH 60V 90A DIE

Инвентаризация: 1429

TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN

Инвентаризация: 712211

MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN

Инвентаризация: 31798

Top