Инвентаризация:8427

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta), 60A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 18A, 8V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.7V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 3V, 8V
  • ВГС (Макс) +10V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1440 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


IC GATE AND 1CH 2-INP DFN1010-6

Инвентаризация: 40388

MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON

Инвентаризация: 41359

Top