Инвентаризация:2107

Технические детали

  • Пакет/кейс 22-PowerBSOP Module
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 98A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 15mOhm @ 41.5A, 20A
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 384W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 14.9mA
  • Пакет устройств поставщика PG-HDSOP-22-1
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 20V
  • ВГС (Макс) +23V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 750 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 80 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2869 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22

Инвентаризация: 606

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 748

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 750

HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

Инвентаризация: 107

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 2330

750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 387

Top