- Модель продукта IMDQ75R016M1HXUMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание SILICON CARBIDE MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2107
Технические детали
- Пакет/кейс 22-PowerBSOP Module
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 98A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 15mOhm @ 41.5A, 20A
- Рассеиваемая мощность (макс.) 384W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 14.9mA
- Пакет устройств поставщика PG-HDSOP-22-1
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 20V
- ВГС (Макс) +23V, -5V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 750 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 80 nC @ 18 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2869 pF @ 500 V