Инвентаризация:2248

Технические детали

  • Пакет/кейс 22-PowerBSOP Module
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 47A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 37mOhm @ 16.6A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 211W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 6mA
  • Пакет устройств поставщика PG-HDSOP-22-1
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 20V
  • ВГС (Макс) +23V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 750 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 34 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1135 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 607

HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

Инвентаризация: 107

Top