Инвентаризация:4000

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 88W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-3
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2V, 4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16 nC @ 1200 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 142 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


1200V 36AMP SiC Mosfet

Инвентаризация: 977

Top