Инвентаризация:2477

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 36A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 198W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.8V @ 100µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-3
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.8V
  • ВГС (Макс) +25V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 60 nC @ 600 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1001 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3

Инвентаризация: 1528

1700v 8AMP SiC Mosfet

Инвентаризация: 2500

Top