Технические детали

• Пакет/кейс TO-247-4
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 34.5A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 90mOhm @ 20A, 12V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 254.2W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 6V @ 10mA
• Пакет устройств поставщика TO-247-4
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 12V
• ВГС (Макс) ±25V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46 nC @ 15 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 pF @ 100 V