Инвентаризация:11457

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-VDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 110mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 50W (Tj)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN3333
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20.1 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1100 pF @ 25 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


P-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 9620

N-CHANNEL MOSFET, DFN3333

Инвентаризация: 10000

N-CHANNEL MOSFET, DFN3333

Инвентаризация: 10000

N-CHANNEL MOSFET, DFN3333

Инвентаризация: 9933

DIODE ZENER 36V 500MW SOD523

Инвентаризация: 2628

Top