Инвентаризация:11120

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 80A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 120W (Tj)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN5060
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±18V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 81 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5300 pF @ 30 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26

Инвентаризация: 19864

P-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 10089

N-CHANNEL MOSFET, DFN3333

Инвентаризация: 10000

N-CHANNEL MOSFET, DFN3333

Инвентаризация: 10000

PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF

Инвентаризация: 10441

MOSFET P-CH 60V 110A TO263

Инвентаризация: 0

Top