Инвентаризация:1540

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 43A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 429W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.1V @ 13.7mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-14
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V, 20V
  • ВГС (Макс) +23V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 82 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2667 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 192

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 1130

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4793

Top