- Модель продукта AIMZHN120R020M1TXKSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание SIC_DISCRETE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1540
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-4
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 25mOhm @ 43A, 20V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 429W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.1V @ 13.7mA
- Пакет устройств поставщика PG-TO247-4-14
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V, 20V
- ВГС (Макс) +23V, -5V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 82 nC @ 20 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2667 pF @ 800 V
- Квалификация AEC-Q101