- Модель продукта FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1518
Технические детали
- Пакет/кейс Module
- Тип монтажа Chassis Mount
- Конфигурация 2 N-Channel
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200A (Tj)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 14700pF @ 800V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.63mOhm @ 200A, 15V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 496nC @ 15V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.55V @ 80mA
- Пакет устройств поставщика Module