Инвентаризация:16431

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 120mOhm @ 4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.5W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-23-3L
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 930 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 6447

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Инвентаризация: 16339

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 5940

MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23

Инвентаризация: 65075

Top