Инвентаризация:7440

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-223
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5.1 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 509 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 14931

MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4

Инвентаризация: 2250

MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

Инвентаризация: 19004

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Инвентаризация: 6400

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 15131

MOSFET N-CH 60V 4A SOT223

Инвентаризация: 85196

Top