Инвентаризация:11712

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 72A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 142W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-PPAK (5.1x5.71)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 210 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 12930 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V

Инвентаризация: 2363

MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 50000

MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60

Инвентаризация: 3081

P-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 10089

P-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 9620

PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF

Инвентаризация: 6576

P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

Инвентаризация: 0

Top