Инвентаризация:1501

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 140A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 192W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-PPAK (5.1x5.71)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 100 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6000 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 80V,

Инвентаризация: 2818

MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 100V,

Инвентаризация: 3495

MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V

Инвентаризация: 10212

N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~

Инвентаризация: 4641

MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 40000

MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8

Инвентаризация: 202

Top