- Модель продукта G7K2N20LLE
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс SOT-23-6
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.8W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика SOT-23-6L
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10.8 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 577 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Инвентаризация: 956
MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Инвентаризация: 117000
N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Инвентаризация: 2778
MOSFET N-CH ESD 200V 2A SOT-23-6
Инвентаризация: 24000
SCR 1KV 55A TO263
Инвентаризация: 10084
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
Инвентаризация: 42946
