- Модель продукта GT019N04D5
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6390
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 10A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 120W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 8-DFN (4.9x5.75)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 95 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2840 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
P-40V,-20A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-
Инвентаризация: 5000
MOSFET P-CH 40V 20A DFN3*3-8L
Инвентаризация: 10000
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Инвентаризация: 1234
