Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 52mOhm @ 30A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 389W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика HiP247™
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +18V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 94 nC @ 8 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1969 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3

Инвентаризация: 3429

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3

Инвентаризация: 51

1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 435

SICFET N-CH 1200V 40A HIP247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 33A HIP247

Инвентаризация: 603

DISCRETE

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

DISCRETE

Инвентаризация: 0

WNSCM80120W/TO-247/STANDARD MARK

Инвентаризация: 0

Top